對集成電路來說:一般來說4寸晶圓的厚度為0.520mm,6寸晶圓的厚度為0.670mm左右。晶圓必須要減薄,否則對劃片刀的損耗很大,而且要劃兩刀。
我們做DIP封裝,4寸晶圓要減薄到0.300mm;6寸晶圓要減薄到0.320mm左右,誤差0.020mm。量測儀器片厚用千分尺就行了,膜厚一般用熱波儀器量測,通過量測不同分布的多點厚度,求平均得出膜厚,一般同時反映膜的均勻性,并可見模擬等高線
對集成電路來說:一般來說4寸晶圓的厚度為0.520mm,6寸晶圓的厚度為0.670mm左右。晶圓必須要減薄,否則對劃片刀的損耗很大,而且要劃兩刀。
我們做DIP封裝,4寸晶圓要減薄到0.300mm;6寸晶圓要減薄到0.320mm左右,誤差0.020mm。量測儀器片厚用千分尺就行了,膜厚一般用熱波儀器量測,通過量測不同分布的多點厚度,求平均得出膜厚,一般同時反映膜的均勻性,并可見模擬等高線
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